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Siehe Technische Spezifikationen

IKA08N65F5XKSA1 +BOM

IGBT 650 V 10.8 A 31.2 W Through Hole PG-TO220-3

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IKA08N65F5XKSA1
Datenblatt:

IKA08N65F5XKSA1 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchStop®
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

650 V
Current - Collector (Ic) (Max):

10.8 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

24 A

IKA08N65F5XKSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT 650 V 10.8 A 31.2 W Through Hole PG-TO220-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

650 V breakthrough voltage
Compared to best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q
g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V
CEsat
Co-packed with Rapid Si-diode technology
Low C
OES
OSS
Mild positive temperature coefficient V
CEsat
Temperature stability of V
f
Best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability
50 V increase in the bus voltage possible without compromising reliability
Higher power density design

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Industrial heating and welding
Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsIGBTsSingle IGBTs	Series	TrenchStop®
IGBT Type	-	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Current - Collector (Ic) (Max)	10.8 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	24 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 8A	Power - Max	31.2 W
Switching Energy	70µJ (on), 20µJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	22 nC	Td (on/off) @ 25°C	10ns/116ns
Test Condition	400V, 4A, 48Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	41 ns
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	IKA08N65	RHoS	yes
PBFree	yes	HalogenFree	yes

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