Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IKQ40N120CH3 +BOM

High-power IGBT chip designed for efficient power switching in industrial and automotive applications

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IKQ40N120CH3
Datenblatt:

IKQ40N120CH3 Datenblatt (PDF)
IC Max:

80.0 A
ICpuls Max:

160.0 A
IF Max:

40.0 A
IFpuls Max:

160.0 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IKQ40N120CH3

IKQ40N120CH3 Allgemeine Beschreibung

IKQ40N120CH3 is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) manufactured by Infineon Technologies. Here are some features of this component:

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Collector-Emitter Voltage (VCE): 1200V
Collector Current (IC): 80A
Maximum Power Dissipation: 640W
Fast Switching Speed
Low Saturation Voltage

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Power supplies and converters
Motor control
Industrial automation
Solar inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding equipment

Spezifikationen

IC max	80.0 A	ICpuls max	160.0 A
IF max	40.0 A	IFpuls max	160.0 A
Ptot max	500.0 W	Switching Frequency max	60.0 kHz
Switching Frequency min	18.0 kHz	Switching Frequency	18-60 kHz
VCE max	1200.0 V	Technology	IGBT HighSpeed 3

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..