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Siehe Technische Spezifikationen

IKW40N60H3FKSA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IKW40N60H3FKSA1
Datenblatt:

IKW40N60H3FKSA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
Technology:

Si
Maximum Gate Emitter Voltage:

- 20 V, 20 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IKW40N60H3FKSA1

IKW40N60H3FKSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 600 V 80 A 306 W Through Hole PG-TO247-3-1

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Low switching losses for high efficiency
Excellent V
ce(sat)
Fast switching behavior with low EMI emissions
Optimized diode for target applications, meaning further improvement in switching losses
Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
Short circuit capability 5μs
Offering T
j(max)
Packaged with and without freewheeling diode for increased design freedom
Low switching and conduction losses
Very good EMI behavior
Can be used with a small gate resistor for reduced delay time and voltage overshoot
High current density
Best-in-class 600 V IGBT efficiency and EMI behavior

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Industrial Heating and Welding
Solutions for Solar Energy Systems

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Series	HighSpeed 3
Product Type	IGBT Transistors	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Part # Aliases	IKW40N60H3 SP000769928

Servicerichtlinien und andere

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