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Siehe Technische Spezifikationen

IKP04N60TXKSA1 +BOM

IGBT Trench Field Stop 600 V 8 A 42 W Through Hole PG-TO220-3-1

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IKP04N60TXKSA1
Datenblatt:

IKP04N60TXKSA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
Technology:

Si

IKP04N60TXKSA1 Allgemeine Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 600 V 8 A 42 W Through Hole PG-TO220-3-1

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Lowest V
CEsat
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V
CEsat
Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled Diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Highest efficiency – low conduction and switching losses
Comprehensive portfolio in 600 V and 1200 V for flexibility of design
High device reliability

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	Product Category	IGBT Transistors
Technology	Si	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Series	TRENCHSTOP IGBT	Product Type	IGBT Transistors
Subcategory	IGBTs	Tradename	TRENCHSTOP
Part # Aliases	IKP04N60T SP000683054

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