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Siehe Technische Spezifikationen

IKW25N120T2 +BOM

IKW25N120T2 is a high-voltage IGBT module rated at 1200 volts and 50 amps, featuring an anti-parallel diode

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IKW25N120T2
Datenblatt:

IKW25N120T2 Datenblatt (PDF)
IC Max:

50.0 A
ICpuls Max:

100.0 A
IF Max:

40.0 A
IFpuls Max:

100.0 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IKW25N120T2

IKW25N120T2 Allgemeine Beschreibung

The IKW25N120T2 is a versatile powerhouse in the realm of power electronic devices, offering a blend of high performance and reliability. With a robust voltage rating of 1200V and a current rating of 25A, this insulated gate bipolar transistor (IGBT) is well-equipped to handle a diverse array of high-power applications. Whether it's controlling motors, driving power supplies, or powering renewable energy systems, the IKW25N120T2 steps up to the challenge with ease

Hauptmerkmale

High efficiency and reliability
Compact design and low noise
Precise current control and sensing
Fast switching and low losses
Rugged construction and high durability
Safe operation with overcurrent protection

Anwendung

Precision medical equipment
Electric vehicle chargers
Industrial power systems

Spezifikationen

IC max	50.0 A	ICpuls max	100.0 A
IF max	40.0 A	IFpuls max	100.0 A
VCE max	1200.0 V	Switching Frequency max	20.0 kHz
Switching Frequency min	2.0 kHz	Switching Frequency	TRENCHSTOP™2 2-20 kHz
Technology	IGBT TRENCHSTOP™ 2	Ptot max	349.0 W

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