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IPB015N08N5ATMA1 +BOM
N-channel 80V 180A Power MOSFET Packaged in TO-263 with Tape and Reel Supply
TO-263-7-
Hersteller:
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Herstellerteil #:
IPB015N08N5ATMA1
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Datenblatt:
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Pbfree Code:
Yes
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Part Life Cycle Code:
Active
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Reach Compliance Code:
compliant
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ECCN Code:
EAR99
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 5993 Stck
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IPB015N08N5ATMA1 Allgemeine Beschreibung
The IPB015N08N5ATMA1 MOSFET transistor offers exceptional efficiency and power handling capabilities for a wide range of applications. Its N-channel design, combined with a low on resistance and high current rating, makes it ideal for demanding tasks that require reliable performance. The TO-263 package style ensures easy installation and secure connections, while the device's temperature and power ratings allow it to operate in harsh environments. With OptiMOS 5 Series technology and automotive qualification, this transistor is a top choice for engineers looking for high-quality components
Hauptmerkmale
- Fast switching MOSFET for SMPS
- Optimized technology for DC/DC converters
- Qualified according to JEDEC1) for target applications
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- 100% Avalanche tested
- Pb-free plating; RoHS compliant
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 65 Weeks | Avalanche Energy Rating (Eas) | 1230 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 80 V | Drain Current-Max (ID) | 180 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0015 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-263 | JESD-30 Code | R-PSSO-G6 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 6 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 720 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Servicerichtlinien und andere
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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