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IPB017N10N5LF +BOM

Robust, high-power transistor with low RDS(on) suitable for power supply units, motor drives, and other high-current switching circuit

IPB017N10N5LF Allgemeine Beschreibung

The IPB017N10N5LF OptiMOS™ Linear FET represents a new era in power semiconductor technology, offering a unique solution to the age-old challenge of balancing on-state resistance and linear mode capability. Through its innovative design and operation in the saturation region, this FET delivers exceptional performance that surpasses traditional trench and planar MOSFETs. By harnessing the benefits of both technologies, users can achieve optimal results in their power management applications

Spezifikationen

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Avalanche Energy Rating (Eas) 979 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V Drain Current-Max (ID) 180 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0017 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-263 JESD-30 Code R-PSSO-G6
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 313 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 720 A
Surface Mount YES Terminal Finish TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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