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Siehe Technische Spezifikationen

IPB036N12N3G +BOM

N-Channel 120 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPB036N12N3G
Datenblatt:

IPB036N12N3G Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

720.0 A
Ptot Max:

300.0 W
VDS Max:

120.0 V
Polarity:

N
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPB036N12N3G

IPB036N12N3G Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 120V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC, TO-263, 7 PIN

Hauptmerkmale

Ideal for high frequency switching and DC/DC converters
Excellent gate charge x R
product (FOM)
Very low on-resistance R
N-channel, normal level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC
for target applications
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Spezifikationen

IDpuls max	720.0 A	Ptot max	300.0 W
VDS max	120.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	3.6 mΩ	ID max	180.0 A
VGS(th) max	4.0 V	VGS(th) min	2.0 V
Operating Temperature max	175.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C
Battery voltage	48-72 V

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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