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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPC100N04S5-1R2 +BOM

Industry-leading MOSFET solution for demanding application

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPC100N04S5-1R2
Datenblatt:

IPC100N04S5-1R2 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

480 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPC100N04S5-1R2

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen IPC100N04S5-1R2-Treiber von INFINEON an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung IPC100N04S5-1R2.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	480 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	40 V	Drain Current-Max (ID)	100 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0014 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-F8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A
Reference Standard	AEC-Q101	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Transistor Element Material	SILICON
RthJC max	1.0 K/W	Ptot max	150.0 W
IDpuls max	400.0 A	Qualification	Automotive
VDS max	40.0 V	VGS(th) min	2.2 V
VGS(th) max	3.4 V	RDS (on) max	1.2 mΩ
QG max	99.0 nC	Polarity	N
ID max	100.0 A	Technology	OptiMOS™-5
Operating Temperature max	175.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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