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Siehe Technische Spezifikationen

IPD082N10N3G +BOM

Advanced Transistor technology provides high switching speed, low noise, and excellent reliability for harsh environments

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPD082N10N3G
Datenblatt:

IPD082N10N3G Datenblatt (PDF)
VDS Max:

100.0 V
Ptot Max:

125.0 W
IDpuls Max:

320.0 A
RthJC Max:

1.2 K/W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPD082N10N3G

IPD082N10N3G Allgemeine Beschreibung

MOSFET N Channel 100V 80A 3.5V @ 75uA 8.6mΩ @ 73A,10V TO-252-2(DPAK) RoHS

Hauptmerkmale

N-channel, normal level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
175 °C operating temperature
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target application
Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

VDS max	100.0 V	Ptot max	125.0 W
IDpuls max	320.0 A	RthJC max	1.2 K/W
RthJA max	62.0 K/W	Polarity	N
Mounting	SMD	RDS (on) max	8.2 mΩ
ID max	80.0 A	VGS(th) max	3.5 V
VGS(th) min	2.0 V	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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