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Siehe Technische Spezifikationen

IPD30N06S2L-23 +BOM

Utilizing the IPD30N06S2L-23 in your applications

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPD30N06S2L-23
Datenblatt:

IPD30N06S2L-23 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

30A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPD30N06S2L-23

IPD30N06S2L-23 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 50µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1091 pF @ 25 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55 V	Id - Continuous Drain Current	30 A
Rds On - Drain-Source Resistance	15.9 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V	Qg - Gate Charge	42 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	100 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	9 ns
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	22 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	33 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns	Width	6.22 mm
Part # Aliases	SP000252168 IPD30N06S2L23ATMA1	Unit Weight	0.011640 oz

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