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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPD50R500CE +BOM

MOSFET Transistor IPD50R500CE N-Channel

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPD50R500CE
Datenblatt:

IPD50R500CE Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

7.6A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPD50R500CE

IPD50R500CE Allgemeine Beschreibung

N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Hauptmerkmale

Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
High body diode ruggedness
Reduced reverse recovery charge (Qrr)
Reduced gate charge (Qg)
Overall Features
BENEFITS
Reduction of switching losses, improvement of light load efficiency
Higher reliability under critical operating conditions
Lower possibility of hard commutation in resonant topologies
Improvement in light load efficiency
Lower gate drive capability required
Easy control of switching behavior
Outstanding reliability with proven CoolMOSTM quality

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	13V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 200µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	433 pF @ 100 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	57W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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