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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPD60R180P7 +BOM

Silicon Metal-oxide Semiconductor FET

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPD60R180P7
Datenblatt:

IPD60R180P7 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

56 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPD60R180P7

IPD60R180P7 Allgemeine Beschreibung

The IPD60R180P7 comes in a TO-252 package, providing thermal stability and easy integration into various circuit designs. Its compact form factor makes it suitable for space-constrained applications

Hauptmerkmale

Suitable for hard and soft switching (PFC and LLC) due to an outstanding commutation ruggedness
Significant reduction of switching and conduction losses
Excellent ESD robustness>2kV (HBM) for all products
Better RDS(on)/package products compared to competition enabled by a low RDS(on)A (below 1Ohmmm²)
Large portfolio with granular RDS(on) selection qualified for a variety of industrial and consumer grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	56 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V	Drain Current-Max (ID)	18 A
Drain-source On Resistance-Max	0.18 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-252	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	72 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	53 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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