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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPD80R1K4P7 +BOM

DPAK Packaged N-Channel Power MOSFET

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPD80R1K4P7
Datenblatt:

IPD80R1K4P7 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

4A (Tc)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPD80R1K4P7

IPD80R1K4P7 Allgemeine Beschreibung

By incorporating the latest technology, the IPD80R1K4P7 MOSFET series enables designers to achieve higher power density designs with lower switching losses and enhanced DPAK R DS(on) products. This translates to cost savings in terms of BOM and reduced assembly efforts for customers, making it an attractive option for those seeking both performance and efficiency in their SMPS applications

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 700µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 500 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	32W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

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