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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPD90P03P4L-04 +BOM

P Channel MOSFET TO-252-3 30V 90A 137W

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPD90P03P4L-04
Datenblatt:

IPD90P03P4L-04 Datenblatt (PDF)
RthJC Max:

1.1 K/W
IDpuls Max:

-360.0 A
Ptot Max:

137.0 W
Qualification:

Automotive

IPD90P03P4L-04 Allgemeine Beschreibung

With its green plastic packaging and single-element design, the IPD90P03P4L-04 offers a compact and reliable solution for power electronics designs. The silicon construction ensures efficient performance and durability, while the Metal-oxide semiconductor technology enhances the device's switching capabilities

Hauptmerkmale

The transistor has a drain-source voltage rating of 30V
It features a continuous drain current of 90A
This makes it suitable for high-power applications

Anwendung

Industrial electronics use
High efficiency design

Spezifikationen

RthJC max	1.1 K/W	IDpuls max	-360.0 A
Ptot max	137.0 W	Qualification	Automotive
VDS max	-30.0 V	VGS(th) min	-1.0 V
Polarity	P	RDS (on) max	4.5 mΩ
VGS(th) max	-2.0 V	QG max	125.0 nC
ID max	-90.0 A	Technology	OptiMOS™-P2
Operating Temperature max	175.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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