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Siehe Technische Spezifikationen

IPP023NE7N3G +BOM

IPP023NE7N3 G N Channel Power MOSFET 75V 100A

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPP023NE7N3G
Datenblatt:

IPP023NE7N3G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPP023NE7N3G

IPP023NE7N3G Allgemeine Beschreibung

Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

Hauptmerkmale

Optimized technology for synchronous rectification
Ideal for high frequency switching and DC/DC converters
Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
N-channel; Normal level
100% Avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications

Spezifikationen

Source Content uid	IPP023NE7N3G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	1100 mJ	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	75 V	Drain Current-Max (ID)	120 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0023 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-220AB	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	300 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	480 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Series	OptiMOS™ 3
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	75 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14400 pF @ 37.5 V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IPP023N

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