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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPP60R165CP +BOM

High voltage 650V switching transistor

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPP60R165CP
Datenblatt:

IPP60R165CP Datenblatt (PDF)
RthJA Max:

62.0 K/W
Operating Temperature Min:

-55.0 °C
Ptot Max:

192.0 W
VDS Max:

600.0 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPP60R165CP

IPP60R165CP Allgemeine Beschreibung

Meet the IPP60R165CP, a cutting-edge power field-effect transistor that delivers exceptional performance in a compact package. With a current rating of 21A and a voltage rating of 600V, this N-channel transistor is perfect for high-power applications that demand reliable and efficient operation. The low on-state resistance of 0.165ohm ensures minimal power loss during operation, making it an excellent choice for power control systems. The TO-263AB package features three pins for easy installation and secure connectivity. And with its green plastic casing, this transistor is not only durable but also environmentally friendly, thanks to its recyclable materials

Hauptmerkmale

Lowest figure-of-merit RONxQg
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant

Spezifikationen

RthJA max	62.0 K/W	Operating Temperature min	-55.0 °C
Ptot max	192.0 W	VDS max	600.0 V
VGS(th) max	3.5 V	VGS(th) min	2.5 V
RthJC max	0.65 K/W	IDpuls max	61.0 A
Polarity	N	ID max	21.0 A
RDS (on) max	165.0 mΩ	Mounting	THT

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