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Siehe Technische Spezifikationen

IPP60R180C7 +BOM

New high-power MOSFET model: IPP60R180C7

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPP60R180C7
Datenblatt:

IPP60R180C7 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

53 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPP60R180C7

IPP60R180C7 Allgemeine Beschreibung

The 600V CoolMOS C7 series is not just a simple upgrade – it's a paradigm shift in power management technology. By delivering unmatched performance and efficiency improvements in critical applications like PFC and TTF, this MOSFET series is setting new standards for energy efficiency and cost-effectiveness. With gains of up to 0.7% in PFC alone, the CoolMOS C7 is a must-have component for any design aiming for superior efficiency and performance

Hauptmerkmale

Suitable for hard and soft switching(PFC and high performance LLC)
Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
Increased efficiency due to best in class FOM RDS(on) Eoss and RDS(on)Qg
Best in class RDS(on)/package
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20
and JESD22)

Spezifikationen

Source Content uid	IPP60R180C7	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas)	53 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	600 V
Drain Current-Max (ID)	13 A	Drain-source On Resistance-Max	0.18 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	45 A	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	IDpuls max	45.0 A
Mounting	THT	Ptot max	68.0 W
Polarity	N	RthJA max	62.0 K/W
RthJC max	1.832 K/W	VDS max	600.0 V
ID max	13.0 A	RDS (on) max	180.0 mΩ
Special Features	highest performance	VGS(th) max	4.0 V
VGS(th) min	3.0 V	Operating Temperature max	150.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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