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Siehe Technische Spezifikationen

IPP60R360P7 +BOM

Silicon Metal-oxide Semiconductor FET

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPP60R360P7
Datenblatt:

IPP60R360P7 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

27 mJ
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPP60R360P7

IPP60R360P7 Allgemeine Beschreibung

Say goodbye to inefficiency and hello to the future of power electronics with the IPP60R360P7 600V CoolMOS™ P7 transistor. This next-generation device is designed to deliver maximum efficiency and ease of use, making it the perfect solution for your power management needs. With its unmatched performance and advanced features, the CoolMOS™ P7 sets a new benchmark for power transistors, ensuring that your projects run smoothly and efficiently

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	27 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	600 V	Drain-source On Resistance-Max	0.36 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	26 A	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET	Subcategory	MOSFETs

Servicerichtlinien und andere

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