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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPT039N15N5ATMA1 +BOM

N Channel Power Mosfet

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPT039N15N5ATMA1
Datenblatt:

IPT039N15N5ATMA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPT039N15N5ATMA1

IPT039N15N5ATMA1 Allgemeine Beschreibung

When it comes to performance, the IPT039N15N5ATMA1 does not disappoint. With a low on-state resistance of just 0.039 ohms, this transistor delivers exceptional efficiency and minimizes power losses in power conversion tasks. Its gate threshold voltage of 2.8V ensures seamless integration with standard gate drive circuits, simplifying the design process for engineers

Hauptmerkmale

Superior switching capabilities
High-quality materials used
Elevate your product's potential
Rapid and reliable processing
Exceeding industry standards
Solid-state reliability ensured

Anwendung

For automotive use
Industrial strength
Efficient power

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V
Id - Continuous Drain Current	190 A	Rds On - Drain-Source Resistance	4.3 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4.6 V
Qg - Gate Charge	78 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	319 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	5.4 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	4.5 ns	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	23.5 ns	Typical Turn-On Delay Time	18.7 ns
Part # Aliases	IPT039N15N5 SP005597138

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