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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPTC039N15NM5ATMA1 +BOM

Suitable for power supply, motor drive and logic gate application

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPTC039N15NM5ATMA1
Datenblatt:

IPTC039N15NM5ATMA1 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

150 V

IPTC039N15NM5ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3.8W (Ta), 319W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-16-2

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	150 V	Id - Continuous Drain Current	190 A
Rds On - Drain-Source Resistance	3.9 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	74 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	319 W	Channel Mode	Enhancement
Series	IPTC039N15	Configuration	Single
Fall Time	5.5 ns	Forward Transconductance - Min	110 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	4.5 ns
Factory Pack Quantity	1800	Subcategory	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time	23.5 ns	Typical Turn-On Delay Time	19 ns
Part # Aliases	IPTC039N15NM5 SP005631626

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