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IPTG054N15NM5ATMA1 +BOM

Trans MOSFET N-CH 150V 17.5A 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R

IPTG054N15NM5ATMA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 150 V 17.5A (Ta), 143A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8

Infineon Inventar
Infineon Originalbestand

Spezifikationen

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V
Id - Continuous Drain Current 143 A Rds On - Drain-Source Resistance 5.4 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V
Qg - Gate Charge 58 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Pd - Power Dissipation 250 W
Channel Mode Enhancement Series IPTG054N15
Configuration Single Fall Time 5 ns
Forward Transconductance - Min 95 S Product Type MOSFET
Rise Time 5 ns Factory Pack Quantity 1800
Subcategory MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time 21 ns
Typical Turn-On Delay Time 16 ns Part # Aliases IPTG054N15NM5 SP005676952

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