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Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R099CPAFKSA1 +BOM

N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IPW60R099CPAFKSA1
Datenblatt:

IPW60R099CPAFKSA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R099CPAFKSA1

IPW60R099CPAFKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Lowest figure-of-merit R
ON
g
Ultra low gate charge
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Automotive AEC Q101 qualified
Green package (RoHS compliant)

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	31 A	Rds On - Drain-Source Resistance	90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	80 nC	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	255 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	CoolMOS	Series	CoolMOS CPA
Configuration	Single	Fall Time	5 ns
Height	21.1 mm	Length	16.13 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	5 ns
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	60 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Width	5.21 mm
Part # Aliases	IPW60R099CPA SP000597860	Unit Weight	0.211644 oz

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