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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R099P6 +BOM

Premium high-power MOSFET

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPW60R099P6
Datenblatt:

IPW60R099P6 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R099P6

IPW60R099P6 Allgemeine Beschreibung

MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM

Hauptmerkmale

Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Extremely low losses due to very low FOM RdsonQg and Eoss
Very high commutation ruggedness
Easy to use/drive
Pb-free plating, Halogen free mold compound
Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20
and JESD22)

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	37.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	99 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V
Qg - Gate Charge	70 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	278 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS P6	Configuration	Single
Fall Time	5 ns	Height	21.1 mm
Length	16.13 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	50 ns	Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Width	5.21 mm	Part # Aliases	SP001114658 IPW60R099P6XKSA1
Unit Weight	0.211644 oz	VDS max	600.0 V
Ptot max	278.0 W	IDpuls max	109.0 A
RthJC max	0.45 K/W	RthJA max	62.0 K/W
Polarity	N	Mounting	THT
ID max	37.9 A	RDS (on) max	99.0 mΩ
Special Features	price/performance	VGS(th) max	4.5 V
VGS(th) min	3.5 V	Operating Temperature max	150.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

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