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Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R160C6FKSA1 +BOM

N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPW60R160C6FKSA1
Datenblatt:

IPW60R160C6FKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R160C6FKSA1

IPW60R160C6FKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	23.8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	140 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	75 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	176 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS C6	Configuration	Single
Fall Time	8 ns	Height	21.1 mm
Length	16.13 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	13 ns	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	96 ns	Typical Turn-On Delay Time	13 ns
Width	5.21 mm	Part # Aliases	IPW60R160C6 SP000652798
Unit Weight	0.211644 oz

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