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Siehe Technische Spezifikationen

IPW60R170CFD7XKSA1 +BOM

N-Channel 650 V 14A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPW60R170CFD7XKSA1
Datenblatt:

IPW60R170CFD7XKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW60R170CFD7XKSA1

IPW60R170CFD7XKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 650 V 14A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Id - Continuous Drain Current	14 A	Rds On - Drain-Source Resistance	144 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V
Qg - Gate Charge	28 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	75 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS CFD7	Configuration	Single
Fall Time	9 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	15 ns	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	68 ns	Typical Turn-On Delay Time	31 ns
Part # Aliases	IPW60R170CFD7 SP001617988	Unit Weight	0.211644 oz

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