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Siehe Technische Spezifikationen

IPW65R041CFD7XKSA1 +BOM

MOSFET HIGH POWER_NEW

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPW65R041CFD7XKSA1
Datenblatt:

IPW65R041CFD7XKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW65R041CFD7XKSA1

IPW65R041CFD7XKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 650 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	700 V
Id - Continuous Drain Current	68.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	41 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Qg - Gate Charge	300 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	500 W
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	IPW65R041CFD7 SP005413359	Unit Weight	0.211644 oz

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