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Siehe Technische Spezifikationen

IPW65R110CFDA +BOM

TO-247 Package 3-Pin Transistor

Hersteller:

infineon
Herstellerteil #:

IPW65R110CFDA
Datenblatt:

IPW65R110CFDA Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

99.6 A
RthJA Max:

62.0 K/W
RthJC Max:

0.45 K/W
Ptot Max:

277.8 W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW65R110CFDA

IPW65R110CFDA Allgemeine Beschreibung

The IPW65R110CFDA is a robust power field-effect transistor designed for high-performance applications. With a current rating of 31.2A and a voltage rating of 650V, this N-channel silicon MOSFET is a reliable choice for a variety of electronic circuit designs. The low on-state resistance of 0.11ohm ensures efficient power delivery, while the TO-247 package provides thermal stability and easy mounting options. The green plastic housing not only offers a visually pleasing appearance but also aids in protecting the internal components from external elements

Hauptmerkmale

Ultra-fast body diode
Very high commutation ruggedness
Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss
Easy to use/drive
Qualified according to AEC Q101
Green package (RoHS compliant), Pb-free plating, halogen free for mold
compound

Anwendung

650V CoolMOS CFDA is designed for switching applications.

Spezifikationen

IDpuls max	99.6 A	RthJA max	62.0 K/W
RthJC max	0.45 K/W	Ptot max	277.8 W
Topology	Full Bridge	Special Features	automotive
Qualification	Automotive	VDS max	650.0 V
VGS(th) max	4.5 V	Polarity	N
ID max	31.2 A	Technology	CoolMOS™ CFDA
VGS(th) min	3.5 V	Operating Temperature max	150.0 °C
Operating Temperature min	-40.0 °C	RDS (on) max	110.0 mΩ
Mounting	THT	QG max	118.0 nC

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