Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IPW65R155CFD7XKSA1 +BOM

N-Channel 650 V 15A (Tc) 77W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPW65R155CFD7XKSA1
Datenblatt:

IPW65R155CFD7XKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW65R155CFD7XKSA1

IPW65R155CFD7XKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 650 V 15A (Tc) 77W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	700 V
Id - Continuous Drain Current	15 A	Rds On - Drain-Source Resistance	155 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4.5 V
Qg - Gate Charge	28 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	77 W
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	IPW65R155CFD7 SP005413375

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..