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Siehe Technische Spezifikationen

IPW65R190CFD +BOM

N-Channel MOSFET Transistor IPW65R190CFD

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IPW65R190CFD
Datenblatt:

IPW65R190CFD Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

57.2 A
RthJC Max:

0.83 K/W
RthJA Max:

62.0 K/W
Ptot Max:

151.0 W
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW65R190CFD

IPW65R190CFD Allgemeine Beschreibung

The IPW65R190CFD power MOSFET is the perfect solution for automotive applications requiring high efficiency and reliability. With a VDS voltage of 650V and a continuous drain current of 43A, this N-channel MOSFET boasts a low on-state resistance of 0.19 ohms, ensuring optimal power conversion in automotive systems. Utilizing Infineon's CoolMOS technology, the IPW65R190CFD offers high power density and efficiency in a compact package, making it ideal for space-constrained applications

Spezifikationen

IDpuls max	57.2 A	RthJC max	0.83 K/W
RthJA max	62.0 K/W	Ptot max	151.0 W
VDS max	650.0 V	Polarity	N
ID max	17.5 A	RDS (on) max	190.0 mΩ
Mounting	THT	Special Features	fast recovery diode
VGS(th) max	4.5 V	VGS(th) min	3.5 V
Operating Temperature max	150.0 °C	Operating Temperature min	-55.0 °C

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