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Siehe Technische Spezifikationen

IPW90R1K0C3 +BOM

Infineon IPW90R1K0C3 MOSFET Transistor details

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPW90R1K0C3
Datenblatt:

IPW90R1K0C3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPW90R1K0C3

IPW90R1K0C3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 900 V 5.7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Hauptmerkmale

Lowest figure-of-merit RON x Qg
Extreme dv/dt rated
High peak current capability
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Ultra low gate charge

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	900 V
Id - Continuous Drain Current	5.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	89 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	CoolMOS
Series	CoolMOS C3	Configuration	Single
Fall Time	35 ns	Height	21.1 mm
Length	16.13 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	20 ns	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	400 ns	Typical Turn-On Delay Time	70 ns
Width	5.21 mm	Part # Aliases	IPW9R1KC3XK SP000413752 IPW90R1K0C3FKSA1
Unit Weight	0.211644 oz

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