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Siehe Technische Spezifikationen

IPWS65R035CFD7AXKSA1 +BOM

N-Channel 650 V 63A (Tc) 305W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IPWS65R035CFD7AXKSA1
Datenblatt:

IPWS65R035CFD7AXKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IPWS65R035CFD7AXKSA1

IPWS65R035CFD7AXKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 650 V 63A (Tc) 305W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	63 A	Rds On - Drain-Source Resistance	35 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4.5 V
Qg - Gate Charge	145 nC	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	305 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	CoolMOS	Series	CoolMOS CFD7A
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	240
Subcategory	MOSFETs	Part # Aliases	IPWS65R035CFD7A SP005405804

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