Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

MRF315A +BOM

RF Bipolar Transistors

Hersteller:

Advanced Semiconductor, Inc.
Herstellerteil #:

MRF315A
Datenblatt:

MRF315A Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

Bipolar Power
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

200 MHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an MRF315A

Hauptmerkmale

PG = 9.0 dB min. at 45 W/ 150 MHz
Withstands 30:1 Load VSWR
Omnigold™ Metalization System

Spezifikationen

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar Power
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Operating Frequency	200 MHz	DC Collector/Base Gain hfe Min	5
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	35 V	Emitter- Base Voltage VEBO	4 V
Continuous Collector Current	5 A	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Mounting Style	Through Hole
Pd - Power Dissipation	75 W	Product Type	RF Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Type	RF Bipolar Power

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..