Bezahlverfahren
MRF7P20040HR3 +BOM
High-performance RF MOSFET transistor for wireless communication equipme
NI-780-4-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
MRF7P20040HR3
-
Datenblatt:
-
Transistor Polarity:
N-Channel
-
Technology:
Si
-
Id - Continuous Drain Current:
150 mA
-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
65 V
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Verfügbarkeit: 7072 Stck
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Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen MRF7P20040HR3-Treiber von NXP an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.
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Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.
Spezifikationen
Product Category | RF MOSFET Transistors | Transistor Polarity | N-Channel |
Technology | Si | Id - Continuous Drain Current | 150 mA |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V | Operating Frequency | 1.8 GHz to 2.2 GHz |
Gain | 18.2 dB | Output Power | 10 W |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Mounting Style | SMD/SMT | Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single | Height | 4.32 mm |
Length | 20.02 mm | Product Type | RF MOSFET Transistors |
Factory Pack Quantity | 250 | Subcategory | MOSFETs |
Type | RF Power MOSFET | Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V | Width | 9.91 mm |
Unit Weight | 0.226635 oz |
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