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Siehe Technische Spezifikationen

MRFE6S9160HSR3 +BOM

RF MOSFET Transistors HV6E 900MHZ 160W NI780HS

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

MRFE6S9160HSR3
Datenblatt:

MRFE6S9160HSR3 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

N-Channel
Technology:

Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

66 V
Minimum Operating Temperature:

- 65 C

MRFE6S9160HSR3 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 28 V 1.2 A 880MHz 21dB 35W NI-780S

Hauptmerkmale

Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Integrated ESD Protection
225°C Capable Plastic Package
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

Spezifikationen

Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	66 V
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Height	4.32 mm
Length	20.7 mm	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	MRFE6S9160H	Factory Pack Quantity	250
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	- 500 mV, 12 V	Width	9.91 mm
Part # Aliases	935319257128	Unit Weight	0.113960 oz

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