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MRF1517NT1 +BOM

RF Power Transistor, 0.136 to 0.52 GHz, 8 W, Typ Gain in dB is 14 @ 520 MHz, 7.5 V, LDMOS

  • Hersteller:

    NXP

  • Herstellerteil #:

    MRF1517NT1

  • Datenblatt:

    MRF1517NT1 Datenblatt (PDF) pdf-icon

  • Transistor Polarity:

    N-Channel

  • Technology:

    Si

  • Id - Continuous Drain Current:

    4 A

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

    25 V

MRF1517NT1 Allgemeine Beschreibung

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:4A; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.7V; Package/Case:Case 466 ;RoHS Compliant: Yes

NXP Inventar

Hauptmerkmale

Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

Excellent Thermal Stability

Broadband UHF/VHF Demonstration Amplifier Information Available Upon Request

N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

Available in Tape and Reel.

T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.

NXP Originalbestand
NXP Inventar

Spezifikationen

Product Category RF MOSFET Transistors Transistor Polarity N-Channel
Technology Si Id - Continuous Drain Current 4 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 25 V Operating Frequency 520 MHz
Gain 14 dB Output Power 8 W
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Mounting Style SMD/SMT Channel Mode Enhancement
Configuration Single Height 1.83 mm
Length 6.73 mm Moisture Sensitive Yes
Pd - Power Dissipation 62.5 W Product Type RF MOSFET Transistors
Series MRF1517NT1 Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type LDMOS FET
Type RF Power MOSFET Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.7 V Width 5.97 mm
Part # Aliases 935310293515 Unit Weight 0.009877 oz

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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