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MRF1550FNT1 +BOM

High-power LDMOS FET transistor designed for efficient power conversion and reliability

MRF1550FNT1 Allgemeine Beschreibung

RF Mosfet 12.5 V 500 mA 175MHz 14.5dB 50W TO-272-6

NXP Inventar

Hauptmerkmale

  • Excellent Thermal Stability
  • Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
  • Broadband-Full Power Across the Band: 135-175 MHz
  • Broadband Demonstration Amplifier Information Available Upon Request
  • 200°C Capable Plastic Package
  • N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.
  • In Tape and Reel. T1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.
NXP Originalbestand
NXP Inventar

Spezifikationen

Product Category RF MOSFET Transistors Transistor Polarity N-Channel
Technology Si Id - Continuous Drain Current 12 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V Operating Frequency 175 MHz
Gain 14.5 dB Output Power 50 W
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Mounting Style SMD/SMT Channel Mode Enhancement
Configuration Single Height 2.69 mm
Length 23.72 mm Moisture Sensitive Yes
Pd - Power Dissipation 165 W Product Type RF MOSFET Transistors
Series MRF1550N Factory Pack Quantity 500
Subcategory MOSFETs Transistor Type LDMOS FET
Type RF Power MOSFET Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Width 6.45 mm
Part # Aliases 935313626528 Unit Weight 0.045124 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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Versand Versand & Verpackung

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Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..

Garantie Garantie

Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.

Rezensionen

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