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Siehe Technische Spezifikationen

NJL3281D +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 260 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-264

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

NJL3281D
Datenblatt:

NJL3281D Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

5
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NJL3281D

NJL3281D Allgemeine Beschreibung

The Bipolar Power Transistor has been designed to eliminate thermal equilibrium lag time and bias trimming in audio amplifier applications. It can also be used in other applications as a transistor die protection device.

Hauptmerkmale

Thermally matched bias diode to eliminate thermal runaway
Instant thermal bias tracking for superior sound quality
Absolute Thermal Integrity
High safe operating area
Pb-Free Packages are Available

Anwendung

High-fidelity consumer audio products
Professional audio amplifiers

Spezifikationen

Source Content uid	NJL3281D	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	5
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Collector Current-Max (IC)	15 A
Collector-Emitter Voltage-Max	260 V	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DC Current Gain-Min (hFE)	45	JEDEC-95 Code	TO-264
JESD-30 Code	R-PSFM-T5	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	5
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	235
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	200 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	30 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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