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Siehe Technische Spezifikationen

NJVMJD31CT4G +BOM

3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NJVMJD31CT4G
Datenblatt:

NJVMJD31CT4G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

369C
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NJVMJD31CT4G

NJVMJD31CT4G Allgemeine Beschreibung

With the NJVMJD31CT4G, you can trust that your electronic projects will run smoothly and efficiently. Whether you're building a simple amplifier or a more complex switching circuit, this transistor delivers consistent results every time. Invest in the NJVMJD31CT4G for quality performance that you can rely on

Hauptmerkmale

Robust Construction for Shock and Vibration Resistance
Fast Switching Speeds for High Efficiency
Precise Current Limiting for Safety

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	369C
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

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