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8 A, 80 V PNP Power Bipolar Junction Transistor
TO-252-3Hersteller:
Herstellerteil #:
NJVMJD45H11T4G
Datenblatt:
Series:
Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:
PNP
Current - Collector (Ic) (Max):
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
80 V
EDA/CAD Modelle:
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When it comes to power transistors, the NJVMJD45H11T4G is a standout choice. Its bipolar junction design makes it perfect for a variety of tasks, including power and switching output in electronic devices. Additionally, its ability to serve as a driver stage makes it an indispensable component for applications like switching regulators, converters, and power amplifiers. The NJVMJD45H11T4G is engineered for reliability and high performance, providing designers and engineers with a durable and efficient solution for their electronic needs
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors | Series | Automotive, AEC-Q101 |
Transistor Type | PNP | Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2A, 1V |
Power - Max | 1.75 W | Frequency - Transition | 90MHz |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | NJVMJD45 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $0,642 | $0,64 |
10+ | $0,529 | $5,29 |
30+ | $0,472 | $14,16 |
100+ | $0,416 | $41,60 |
500+ | $0,364 | $182,00 |
1000+ | $0,346 | $346,00 |
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