Bezahlverfahren
SBC807-25LT1G +BOM
PNP Bipolar Transistor
SOT23-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
SBC807-25LT1G
-
Datenblatt:
-
Series:
Automotive, AEC-Q101
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Transistor Type:
PNP
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Current - Collector (Ic) (Max):
500 mA
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
45 V
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 5476 Stck
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SBC807-25LT1G Allgemeine Beschreibung
With the SBC807-25LT1G, users can expect consistent and stable performance, thanks to its superior design and construction. This product is a testament to the commitment to excellence and innovation, offering a solution that meets the needs of today's technology-driven world
Hauptmerkmale
- High-Temperature Operation for Demanding Applications
- Enhanced Signal Integrity for Reliable Data Transfer
- Compact Design for Space-Constrained Systems
Anwendung
- EMC Compliance
- Overtemperature Protection
- Automatic Recovery
Spezifikationen
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors | Series | Automotive, AEC-Q101 |
Transistor Type | PNP | Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
Power - Max | 300 mW | Frequency - Transition | 100MHz |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SBC807 | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | PNP |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 50 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 700 mV | Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Pd - Power Dissipation | 225 mW | Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Qualification | AEC-Q101 | Continuous Collector Current | - 500 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 160 | DC Current Gain hFE Max | 400 |
Height | 0.94 mm | Length | 2.9 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 1.3 mm | Unit Weight | 0.000282 oz |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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SBC807-25LT1G Datenblatt PDF
SBC807-25LT1G PDF Vorschau
In Stock: 5.476
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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5+ | $0,085 | $0,42 |
50+ | $0,070 | $3,50 |
150+ | $0,062 | $9,30 |
500+ | $0,056 | $28,00 |
3000+ | $0,051 | $153,00 |
6000+ | $0,049 | $294,00 |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
Got it. Marking simplified, written a7.