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Siehe Technische Spezifikationen

SBCP56-16T3G +BOM

1.0 A, 80 V NPN Bipolar Junction Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SBCP56-16T3G
Datenblatt:

SBCP56-16T3G Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SBCP56-16T3G

SBCP56-16T3G Allgemeine Beschreibung

The SBCP56-16T3G by ON Semiconductor is a cutting-edge Schottky barrier diode tailored for applications that demand lightning-fast switching speeds. Boasting a hefty 56 amperes of current and a low forward voltage of 0.69 volts, this diode is encased in a sturdy TO-220 package, presenting versatility for a myriad of circuit configurations. It offers a minuscule leakage current of 0.6 microamperes and a formidable surge current of 200 amperes, affording robust defense against unexpected power surges

Hauptmerkmale

Robust surge current handling
Low voltage drop ensured
High reliability guaranteed
Surface mount package ideal

Anwendung

Simply amazing
Unbeatable quality
Great value for money

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
Power - Max	1.5 W	Frequency - Transition	130MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SBCP56	Product Category	Bipolar Transistors - BJT
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Collector- Base Voltage VCBO	100 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV	Maximum DC Collector Current	1 A
Pd - Power Dissipation	1.5 W	Gain Bandwidth Product fT	130 MHz
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Qualification	AEC-Q101	Continuous Collector Current	1 A
DC Current Gain hFE Max	250	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	4000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Unit Weight	0.003951 oz

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