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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SBC847BDW1T1G +BOM

Dual NPN Bipolar Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SBC847BDW1T1G
Datenblatt:

SBC847BDW1T1G Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

45V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SBC847BDW1T1G

SBC847BDW1T1G Allgemeine Beschreibung

Featuring two NPN transistors in a single package, the SBC847BDW1T1G offers convenience and efficiency in circuit design. Its high gain characteristics make it suitable for a wide range of applications where signal amplification is needed. The SOT-363/SC-88 package not only saves valuable board space but also provides efficient heat dissipation for improved performance

Hauptmerkmale

Safe and Reliable Products Offered
RoHS Compliant and REACH Compliant
AECQ101 Qualified for Automotive Use

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	2 NPN (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	380mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SBC847

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