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Siehe Technische Spezifikationen

SBC807-40WT1G +BOM

PNP Bipolar Junction Transistor for Automotive Applications, with a Voltage Rating of 45V and Current Rating of 0

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SBC807-40WT1G
Datenblatt:

SBC807-40WT1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419-04
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
Transistor Type:

PNP
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SBC807-40WT1G

SBC807-40WT1G Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 500 mA 100MHz 460 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

Hauptmerkmale

Advanced Driver-Assistance Systems (ADAS) Ready
Industrial Control and Automation Solutions Enabled
Wireless Connectivity and Remote Monitoring Supported

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	419-04
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 100mA, 1V
Power - Max	460 mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SBC807

Servicerichtlinien und andere

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