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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SBC856BDW1T1G +BOM

Dual PNP Bipolar Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SBC856BDW1T1G
Datenblatt:

SBC856BDW1T1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

419B-02
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SBC856BDW1T1G

SBC856BDW1T1G Allgemeine Beschreibung

Meet the SBC856BDW1T1G, a dual PNP transistor designed for automotive applications. This high-performance transistor offers a collector-emitter voltage V(br)ceo of -65V and a power dissipation Pd of 380mW, making it suitable for a wide range of automotive electronics. With a DC collector current of 100mA and a DC current gain hFE of 150hFE, this transistor delivers reliable performance in a compact SOT-363 package with 6 pins. It operates at a maximum temperature of 150°C and meets the stringent AEC-Q101 automotive qualification standard. Furthermore, it has an MSL rating of MSL 1 - Unlimited and is free from any SVHC (Substances of Very High Concern) as of the most recent update in June 2018

Hauptmerkmale

Magnetic Field Resistant for Industrial Use
Suitable for Medical Equipment and Appliances
Efficient Thermal Management System

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	419B-02
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

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