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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SBC846BWT1G +BOM

NPN Bipolar Transistor

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SBC846BWT1G
Datenblatt:

SBC846BWT1G Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

65 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SBC846BWT1G

SBC846BWT1G Allgemeine Beschreibung

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transist

Hauptmerkmale

Pb-Free and Halogen-Free Packaging Options
Achieves High Levels of Environmental Sustainability
Meets or Exceeds IECQ617 Standards for Quality
Dedicated Support for All Product Applications

Anwendung

Low Forward Voltage Drop
Intelligent Fault Detection
Integrated Protection Circuits

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	150 mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SBC846

Servicerichtlinien und andere

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