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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IKW50N65ES5 +BOM

TO-247-3 IGBTs ROHS

Hersteller:

INFINEON
Herstellerteil #:

IKW50N65ES5
Datenblatt:

IKW50N65ES5 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

COLLECTOR
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IKW50N65ES5

Hauptmerkmale

High speed S5 technologyo ffering
High speed smooth switching device for hard &soft switching
Very Low VCEsat, 1.35V at nominal current
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
650V breakdown voltage
Low gate charge QG
IGBT copacked with full rated RAPID 1 fast antiparallel diode
Maximum junction temperature 175°C
Qualified according to JEDEC for target applications
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Complete product spectrum and PSpice Models:
http://www.infineon.com/igbt/

Spezifikationen

Source Content uid	IKW50N65ES5	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	80 A
Collector-Emitter Voltage-Max	650 V	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Gate-Emitter Thr Voltage-Max	4.8 V	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JEDEC-95 Code	TO-247	JESD-30 Code	R-PSFM-T3
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-40 °C	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	274 W	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE	Transistor Application	POWER CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	198 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	45 ns	VCEsat-Max	1.7 V
Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.35 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	80 A	Pd - Power Dissipation	274 W
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Series	TRENCHSTOP 5 S5	Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	20.7 mm	Length	15.87 mm
Operating Temperature Range	- 40 C to + 175 C	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	IGBTs
Tradename	TRENCHSTOP	Width	5.31 mm
Part # Aliases	SP001319682 IKW50N65ES5XKSA1	Unit Weight	1.340411 oz

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