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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IMZ4T108 +BOM

Bipolar transistors for BJT

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

IMZ4T108
Datenblatt:

IMZ4T108 Datenblatt (PDF)
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

32 V
Collector- Base Voltage VCBO:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IMZ4T108

IMZ4T108 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 32V 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6

Hauptmerkmale

1) Includes a 2SA1036K and a 2SC411K transistor in a SMT package.
2) Mounting possible with SMT3 automatic mounting machine.
3) Transistor elements are independent, eliminating interference.
4) High collector current. IC = 500mA
5) Mounting cost and area can be cut in half.

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	NPN, PNP
Configuration	Dual	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	32 V
Collector- Base Voltage VCBO	40 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	120
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si

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