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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IMBG120R030M1HXTMA1 +BOM

N-channel 56A high voltage power transistor

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

IMBG120R030M1HXTMA1
Datenblatt:

IMBG120R030M1HXTMA1 Datenblatt (PDF)
RHoS:

yes
PBFree:

yes
HalogenFree:

yes
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IMBG120R030M1HXTMA1

IMBG120R030M1HXTMA1 Allgemeine Beschreibung

The IMBG120R030M1HXTMA1 is a state-of-the-art Mosfet module offering exceptional power handling and efficiency. With an N Channel configuration, 56A continuous drain current, and 1.2Kv drain source voltage, it is well-equipped to meet the demands of high-performance applications. Its 7 pins configuration and Rohs compliance make it easy to integrate into diverse systems while aligning with environmental regulations. The 300W power dissipation ensures reliable and consistent operation, making this module a dependable choice for various industrial and commercial needs

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Very low switching losses
Short-circuit withstand time, 3 μs
Fully controllable dV/dt
Benchmark gate threshold voltage,>
Robustness against parasitic turn-on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
Robust body diode for hard commutation
Package creepage and clearance distances, > 6.1 mm
Sense pin for optimized switching performance
Efficiency improvement
Enabling higher frequency
Increased power density
Cooling effort reduction
Reduction of system complexity and cost
SMD package enables direct integration into PCB, with natural convection cooling without extra heatsink

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Anwendung

Fast EV charging
Industrial motor drivesand controls
Solutions for photovoltaic energy systems
Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Spezifikationen

RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Servicerichtlinien und andere

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