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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

IMW65R083M1HXKSA1 +BOM

High-performance power mosfet for demanding application

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IMW65R083M1HXKSA1
Datenblatt:

IMW65R083M1HXKSA1 Datenblatt (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IMW65R083M1HXKSA1

IMW65R083M1HXKSA1 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 650 V 24A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	24 A	Rds On - Drain-Source Resistance	111 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 5 V, + 23 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	5.7 V
Qg - Gate Charge	19 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	104 W
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	240	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	IMW65R083M1H SP005423802

Servicerichtlinien und andere

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